c-v characteristic中文是什么意思

• 伏安特性

• "c"中文翻译     C major [minor] C大[小]调 ...
• "v"中文翻译     a V-belt 【机械工程】三角皮带。 A ...
• "characteristic"中文翻译    adj. 有特性的；表示…特性的，…特有的。 Japan ...
• "v curve characteristic" 中文翻译 :    v 形曲线特性; 形曲线特性
• "v i characteristic" 中文翻译 :    伏 安特性
• "c-v-dna" 中文翻译 :    dna]包被的病毒脱氧核糖核酸; 包被的簿脱氧核糖核酸
• "v size c" 中文翻译 :    光源的 v 向尺寸(当选择球形光源时，该选项无效)。
• "v-c switch region" 中文翻译 :    v－c软链部
• "v、d、j、c" 中文翻译 :    基因连为一体
• "no commercial value(n-c-v)" 中文翻译 :    无商业价值
• "capacitance voltage plot or c-v plot" 中文翻译 :    电容电压曲线或
• "be characteristic of" 中文翻译 :    表现了…的特点; 具有...的特性, 为...所特有; 具有...特色的; 具有……的特色; 为…所特有，是…的特征
• "characteristic" 中文翻译 :    adj. 有特性的；表示…特性的，…特有的。 Japan's characteristic art 日本特有的艺术。 n. 特性，特征，性能，特色。 be characteristic of …所独有的特征，有…的特色。 characteristic of logarithm 对数的首数。 adv. -cally
• "characteristic of" 中文翻译 :    表示特性的; 不关心的; 独有的,特有的; 对…淡漠; 特有的，表示...特性的; 特征是
• "v" 中文翻译 :     a V-belt 【机械工程】三角皮带。 A V sign 胜利手势〔向上伸出食指和中指的手势〕 (V ＝ Victory)。 A V spot 〔美国〕一张五元钞票。 IV＝4。 VI＝6。 XV＝15。 VL＝45。 LV＝55。
• "v and t" 中文翻译 :    脉量和脉压
• "a c" 中文翻译 :    饲前内服
• "c" 中文翻译 :     C major [minor] C大[小]调。 a C-spring C字形(承力)弹簧 (＝Cee-spring)。 CCCL＝350. C3丙等(的)，体格劣等(的)。 (a C3 concert 第三流音乐会)。 C and A Pocket 〔美国〕无业游民做在上衣里用来装多余粮食的口袋 (Chicago and Alton pocket)。 C and S 【美军】整洁而严肃的 (＝clean and sober)。
• "c of" 中文翻译 :    cchamber of commer,商会
• "c of s" 中文翻译 :    C of S ＝chief of staff 参谋长。
• "c s" 中文翻译 :    12集; 7、8集; 9、10集; 犯罪现场调查全
• "c to" 中文翻译 :    c房地产的影响、一人对一人; c顾客对顾客; c人对个人; 消费者之间的交易
• "c × s" 中文翻译 :    C × S ＝ count × strength 品质指标。
• "t c" 中文翻译 :    温度系数
• "c c" 中文翻译 :    级瓦楞纸波形数; 语言里的源码文件格式

• In the experiment of photo - excited c - v characteristics of sio2 / n - sic , a ledge that had been appeared in p - type sample was observed because of the deep interface states
  然后使用光照条件讨论了p和n型sicmos的界面态的性质，即p型为施主态， n型为受主态。
• The i - v and c - v characteristics of bn ( n - type ) / si ( p - type ) heterojunctions have been studied to close to that of ideal heterojunct ion . 6 in this paper the mechanism of cbn formation and bn films n - type doping as well as bn ( n - type ) / si ( p - type ) conducting
  6文章还对立方氨化硼薄膜的成核和生长机理，氮化硼薄膜的n型掺杂机制和bn型）侣i …型）异质结的电流输运机制进行了探讨。
• It is found that the main electronic conduction mechanism in the high field regions of the i - v characteristics is identified to be fowlernordheim tunneling . the effect of y ray on sic mos c - v characteristics depends strongly on the bias voltage applied to the gate electrode during irrad
  当氧化层中存在较强电场时，电离辐照对s汇mos电容的影响会更明显， sicmos器件比st器件具有更好的抗y辐照的能力。
• A model of the interface state density distribution near by valence band is presented , and the dependence of the threshold voltage on temperature , the c - v characteristics and the subthreshold characteristics are predicted exactly with this model ; the effects of s / d series resistance on the output characteristics , transfer characteristics and effective mobility of sic pmosfets are analyzed . thirdly , the output characteristics and the drain breakdown characteristics are modeled with the procedure medici . the output characteristics in the room temperature and 300 ? are simulated , and the effects of gate voltage . contact resistance , interface state and other factors on sic pmos drain breakdown characteristics are analyzed
  提出了一个价带附近的界面态分布模型，用该模型较好地描述了sicpmos器件阈值电压随温度的变化关系、 c - v特性曲线以及亚阈特性曲线；分析了源漏寄生电阻对sicpmos器件输出特性、转移特性以及有效迁移率的影响；论文中用模拟软件medici模拟了sicpmos器件的输出特性和漏击穿特性，分别模拟了室温下和300时sicpmos器件的输出特性，分析了栅电压、接触电阻、界面态以及其他因素对sicpmos击穿特性的影响。
• In this paper , the effect of interface properties of sio2 / sic on performances of n - channel sic mofet are studied systematically : incomplete ionization of impurity in sic is analyzed based on the crystal structure of sic materials . the effect of incomplete ionization of impurity on c - v characteristics of p - type 6h - sic mos is researched based on charge - sheet model for sic mos inversion layers
  本文就sio _ 2 / sic界面质量对n沟sicmosfet性能的影响做了深入的研究：从碳化硅材料的晶体结构出发分析了碳化硅材料中杂质的不完全离化，采用sicmos反型层薄层电荷数值模型，研究了杂质不完全离化对p型6h - sicmosc - v特性的影响。